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基于OEIC的器件

产品分类:应用指导

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  • 更新时间:2013-09-04 12:48
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    将光子元件与电子元件集成在同一个芯片上是光学界的长期愿望,采用基于Si基材料的OEIC光电集成回路技术作为单片集成,被许多人认为是实现该愿望的最理想的途径之一。与PIC单片集成面临的同样问题就是,要将有源、无源的部件,全部用Si基材料来制造,还要满足器件的高性能,技术难度非常之大。

      如图八所示,有机构曾利用0.8um的标准CMOS工艺,将LED发射部件通过Si3N4波导与PD接收部件集成在了一个芯片上,实现了Si基的OEIC。但该器件在功能上讲还非常简单,离实现收发一体器件的技术尚有相当大的距离。

    图八 基于OEIC集成器件芯片示意图 Fig.8 A scheme of OEIC integrated device chip

       另外也有机构研究Si基的混合集成的OEIC技术,即将Si基OEIC与其他工艺如PIC融合在一起,制作在一个Si/SiO2 基的光电芯片上。对于Si基的混合集成OEIC来说,将基于不同衬底的基本器件单独制作完成后,还存在它们之间的相互连接、融合的问题。但是,换一个角度 看来,混合集成的OEIC,又具有允许不同类别的器件分别选择各自最合适的材料以及最佳的工艺以便取得最好性能的优点。

     

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